将ΔB=0.15T(为了防止磁芯饱和，取ΔB<Bm)，Sc=125mm2代入式（3）得N1=80匝，则N2=N1n=4.6，取5匝，

又馈电绕组和副边绕组同时导通，且稳定电压为13V，则

N4=N2/(Uo UD)=12，考虑到三端稳压器的损耗故取15匝。

4）磁场气隙

将数据代入式（4）得出δ=1mm。适当的气隙可防止变压器饱和，但过大又增加了变压器漏感，所以应该折中选择，本设计的EI磁芯，单边可取δ/2，实际中我们取0.5mm。

5）绕制技巧

原边绕组分二层绕，先绕原边40圈，再把馈电绕组、输出绕组绕在一层，最外面还是原边绕组，层与层之间要加绝缘胶带，这样的绕制方式可有效降低变压器漏感。

4 实验结果

图5所示为高频变压器原、副边波