经验表明，当流经电阻的电流约为最大截止电压下二极管漏电流的3倍时，该电阻值便是足够的。但即使在此条件下，电阻中仍会出现可观的损耗。

动态的电压分布不同于静态的电压分布。如果一个二极管pn结的载流子消失得比另外一个要快，那么它也就更早地承受电压。

如果忽略电容的偏差，那么在n个给定截止电压Vr的二极管相串联时，我们可以采用简化计算并联电容的式（12）。

C>[(n-1)ΔQRR]/nVr-Vm （12）

式中：ΔQRR是二极管存储电量的最大偏差。

做一个充分安全的假设，即

ΔQRR=0.3QRR （13）

条件是所有的二极管均出自于同一个制造批号。ΔQRR由半导体制造商所给出。除了续流二极管关断时出现的存储电量之外，在电容中存储的电量也同样需要由正在开通的IGBT来接续。根据上述设计公式，我们发现总的存储电量值可能会达到单个二极管的存储电量的2倍。

一般来说，续流二极管的串联电路并不多见，原因在于存在下列附加的损耗源：

1）pn结的n重扩散电压；

2）并联电阻中的损耗；

3）需要由IGBT接续的附加存储电量；

4）由RC电路而导致的元件的增加。

所以，在高截止电压的二极管可以被采用时，一般不采用串联方案。

唯一的例外是当应用电路要求很短的开关时间和很低的存储电量时，这两点正好是低耐压二极管所具备的。当然，此时系统的通态损耗也会大大增加。

2.3.2 并联

并联并不需要附加的RC缓冲电路。重要的是在并联时通态电压的偏差应尽可能小。

判断二极管是否适合并联的一个重要参数是其通态电压对温度的依赖性。如果通态电压随温度的增加而下降，则它具有负的温度系数，这对于损耗来说，是一个优点。如果通态电压随温度的增加而增加，则温度系数为正，在典型的并联应用中，这是一个