直流母线→斩波→逆变器（fs=10～12kHz）→三相交流电机（400V/50Hz/22kW），则

1）斩波整流器采用1200V/100A（Tc=80℃）的标准IGBT半桥模块；

2）斩波逆变器采用1200V/75A（Tc=80℃）的标准IGBT半桥模块。

如果功率模块本身就带有加强的二极管，则此区分便无必要。

2.2 快速功率二极管的构造

我们需要区分二极管的两种主要形式，即肖特基二极管和pin二极管。

在肖特基二极管中，金属－半导体之间的接触面构成了阻断型的pn结。与pin二极管不同，pn结没有由扩散而形成的势垒。因此，如果n－区很薄，则它的通态压降比任何一个pin二极管都小。在从导通进入截止状态的过渡过程中，理论上仅需对空间电荷区充电。所以，此类二极管适用于很高的频率（>100kHz）。但是，这一优点只限于当电压小于约100V（目前最高可以达到250V）时。因此，肖特基二极管适合被用作MOSFET的续流二极管。另一方面，当设计的耐压较高时，则

1）通态电压迅速增加，原因是基极宽度WB增加，以及仅存在一种载流子（单极型）；

2）截止漏电流迅速增加，有可能造成温升失衡。

因此，当电压大于100V时，pin二极管开始显示出其优越性。对于目前生产的二极管来说，它的中间部分不再是i（本征的），而是相对于边缘区来说，其浓度要低很多的n型半导体。在采用外延生长技术的pin二极管中〔图21（b）〕，首先在一块高浓度的n＋衬底上分流出一个n－区（外延生长），然后再扩散p区。用此方法，基极的宽度WB可以被调节至极低，直至数个μm；同时硅片又具有足够的厚度，使得生产中的成品率很高。通过引入再结合中心（多采用金扩散的工艺）的方法，可以实现非常快的二极管，同时由于它的WB很小，通态电压仍然可以很低。当然，通态电压总是大于pn结的扩散势垒（0.6～0.8V）。外延生长式的二极管的主要应用范围在100～600V之间。有些制造商还实现了耐压为1200V的外延生长型二极管。

从600V开始往上，n－区已经较宽，以至于可以采用扩散