但对于用在IGBT中的续流和缓冲二极管来说，这个定义并不能说明多少问题，因为

1）开通电流的上升率di/dt会很高，以至于象一个1700V二极管的VFRM会达到200～300V。这个数值已是VF的100倍以上。

2）实际应用过程中，二极管是由截止进入导通，由此产生的VFRM要比由零电压进入导通状态高出许多。

对于缓冲二极管来说，因为缓冲电路只有在二极管导通之后才能发挥作用，所以较低的VFRM是它最重要的指标之一。

即使对于反向阻断电压大于1200V的续流二极管来说，可重复的正向峰值电压也有着重要的作用。在IGBT关断时，线路的寄生电感会感应出一个电压尖峰，这个电压尖峰叠加于续流二极管的VFRM之上，二者之和可能导致过电压。

2.1.3 关断特性

在二极管由导通进入截止状态的过程中，它内部所存储的电量必须被释放掉。这个过程导致了二极管的电流反方向流动。这一反方向电流的波形可以用反向恢复特性来描述。

图13表示了一个最简单的测量线路，S代表一个理想开关，IL为一个电流源，Vk是一个用于换流的电压源，Lk是换流电路中的电感。

当合上开关S后，一个软恢复二极管的电流和电压曲线如图14所示。

图14 软恢复二极管的反向恢复过程的电流和电压特性

换流速度di/d