结构中，层叠状(平行且相互靠紧)的铜排系统得到了广泛的应用。此类结构可将铜排的电感降低至25~50nH的范围。
    虽然L11+L12对功率模块也有影响，但可以通过在功率模块的直流电路端子间并联C、RC或RCD等缓冲电路来减小。在大多数情况下，一个由薄膜电容构成的简单C缓冲电路便足够了，电容值约在0.1~2μF之间。
9.1.2 发射极或源极边的电感
    发射极或源极边的电感L31及L32既位于功率电路，也位于晶体管的驱动电路。
    当晶体管的电流快速变化时，所感应的电压将反馈到驱动电路(发射极或源极反馈)。这一现象将延缓栅极 发射极电容在开通时的充电速度以及在关断时的放电速度，从而使开关时间和损耗增加。
    另外，如果在模块附近发生负载短路，则发射极反馈现象可被用来限制集电极电流的di／dt.为了降低电感L31及L32，功率模块往往在发射极处具有一个独立的驱动端子。
    如果逆变器底部开关的驱动电路由一共用电源供电，则位于驱动地线和直流电路负极之间的寄生电感可能会在对地回路中引起振荡。为此，可在驱动电源输出端附加高频稳定电路。对于大功率变流器来说，可以采用隔离的独立驱动电路。
9.1.3 电感L21和L22
    L31以及L32为驱动器末极和晶体管之间的引线电感。它除了使驱动电路的阻抗增加以外，还可能与晶体管的输入电容一起引发振荡。其解决办法是在驱动器末极和晶体管之间采用尽可能短的低电感引线。
9.1.4 电容
    图55中所示的电容Cxx表示了功率半导体的本征电容。它们随电压而变化，具有非线性的特性。它们构成了换流电容Ck的最小值。从原理上说，它们有利于降低关断过程中的损耗。
    在开通时，换流电容的充放电会引起附加损耗。在多数MOSFET的高频应用中，这一现象应得到重视。
    C11和C12还对栅极产生dv/dt的反馈效应。
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