流器的换流回路。它由直流电压源vd(对应于换流电压vk)与两个带有驱动器和反向二极管的IGBT开关所组成。换流电压由直流母线电容Cd所维持。外加电流iL从换流回路流出。

9.1.1 换流回路的总电感
    在含有S1和D2的换流回路中，参与换流的总电感是L11，L61，L31，L41，L72，L52与L12之和。同理，在含有D1和S2的换流回路中，总电感是L11，L71，L51，L62，L32，L42与L72之和。
    当S1或S2开通时，换流回路的总电感缓冲了开通过程，使S1或S2的开通损耗得以降低。
    但当S1和S2关断以及在D1和D2反向恢复时，由于di／dt很高，回路电感会在晶体管和二极管中感应出开关过电压。这一效应使得关断损耗增加，且功率半导体的电压应力也随之增加。
    这一效应的负面影响在短路和过载时尤为突出。另外，当线路中还存在着寄生电容时，可能会引起高频振荡。
    因此，在采用硬开关的变流器中，换流回路的总电感应当尽可能地小。除了L11和L12以外，其他部分的电感均为模块的内部电感，用户无法改变。所以，功率模块制造商的责任在于通过不断改善模块的构造技术以使得其内部的电感最小化。
    SEMIKRON在参数表中给出了模块主电路端子之间的有效内部电感(例如，SKMIOOGBl23D的LCEmax=30nH）。
    如果模块仅含一个开关(一只IGBT或MOS—FET加一只反向二极管)，则在其构成逆变器的一相时，应使两个模块之间的连线电感尽可能地小。
    特别重要的是使直流母线回路的电感尽可能地小。这一方面取决于母线铜排的放置方式，另一方面取决于功率模块与直流电路的连接方式。在实际的变流器  >>