因素，取Cx=0.47μF，CY=0.22μF，L=22mH，加入EMI滤波器后电路经过传导测试符合EN55022标准，如图6中下方一条曲线所示。
2.2 变压器原边关断尖峰电压抑制
      单片开关电源内部集成的MOSFET的高速开断，使得高频变压器原边漏感中储存的能量释放，在变压器原边叠加一个电压尖峰，使高频方波波形畸变，甚至由于尖峰电压全部加在TOPSwitch的D端(漏极)上，可能使芯片损坏。为抑制尖峰电压，在变压器原边绕组并联由瞬态电压抑制器(TVS)和超快恢复二极管(SRD)相串联组成的吸收电路。当MOSFET关断时，TVS反向击穿，SRD导通，漏感中的能量沿并联回路释放，使得MOS-FET两端的电压限定在TVS的击穿电压之内。结合图5的波形可以看出，在开关管关断瞬间，关断尖峰电压叠加在TOPswitch的D端上，使VD达到600V左右(直流高压450V加上TVS的击穿电压200V)，TVS钳位电路导通，漏感能量沿并联通路释放，而且由于杂散电容和初级电感形成了谐振电路，产生衰减振荡，之后，VD回落并稳定在直流高压水平上。
2.3 输出二极管关断尖峰电压抑制
      反激变换电路+5V主输出电路整流二极管选用SRl640超快恢复二极管(共阴对管)，其反向恢复时间trr=35ns，平均整流电流Id=10A，反向峰值电压VRM=200V。电路工作频率在100kHz(周期10μs)，选用超快恢复二极管可有效降低由于反向恢复电流而形成的关断电压尖峰。
      另外，并联RC电路吸收高频纹波，100Ω的电阻同时作为假负载避免空载时输出电压升高。同时电路增加了一阶滤波器，其传递函数为在转折频率后以-40dB衰减高频谐波分量，如图9所示。