OD=4.1nC，代入式（1）中不难算出，总栅极电荷Q_G=11.8nC。

等效栅极电容C_EI等于总栅极电荷除以栅－源电压，即

C_EI=Q_G／U_GS（2）

将Q_G=11.8nC及U_GS=5V代入式（2）中，可计算出等效栅极电容C_EI=2.36nF。需要指出，等效栅极电容远大于实际的栅极电容（即C_EI>>C_GS），因此，应按C_EI来计算在规定时间内导通所需要的栅极峰值驱动电流I_G（PK）。I_G（PK）等于总栅极电荷除以导通时间，即

I_G=Q_G／t_ON（3）

将Q_G=11.8nC，t_ON=13ns代入式（3）中，可计算出导通时所需的I_G(PK)=0.91A。

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