0V，最大栅－源电压U_GS(max)=±20V，最大漏极电流为9A（25℃）或7A（70℃），峰值漏极电流可达40A，最大功耗为2.5W（25℃）或1.6W（70℃）。SI4800的导通时间t_ON=13ns（包含导通延迟时间t_d(ON)=6ns，上升时间t_R=7ns），关断时间t_OFF=34ns（包含关断延迟时间t_d(OFF)=23ns，下降时间t_F=11ns），跨导g_FS=19S。工作温度范围是－55～＋150℃。SI4800内部有一只续流二极管VD，反极性地并联在漏－源极之间（负极接D，正极接S），能对MOSFET功率管起到保护作用。VD的反向恢复时间t_rr=25ns。

功率MOSFET与双极型晶体管不同，它的栅极电容C_GS较大，在导通之前首先要对C_GS进行充电，仅当C_GS上的电压超过栅－源开启电压〔U_GS(th)〕时，MOSFET才开始导通。对SI4800而言，U_GS(th)≥0.8V。为了保证MOSFET导通，用来对C_GS充电的U_GS要比额定值高一些，而且等效栅极电容也比C_GS高出许多倍。

SI4800的栅－源电压（U_GS）与总栅极电荷（Q_G）的关系曲线如图7所示。由图7可  >>